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    如何區(qū)分CP測試和FT測試
    來源:電子發(fā)燒友 | 作者:chnchip | 發(fā)布時(shí)間: 2021-05-31 | 4745 次瀏覽 | 分享到:

    對(duì)于專業(yè)的測試人員關(guān)于CP和FT的測試肯定是非常的了解了,但很多非測試專業(yè)的從業(yè)人員對(duì)這兩個(gè)概念其實(shí)了解并不像那樣深刻。所以本文將對(duì)于那些需要接觸測試但不是測試人員的人進(jìn)行關(guān)于CP和FT的測試的講解。

    按照國際慣例,首先需要再解釋一下什么是CP和FT測試.CP是(Chip Probe)的縮寫,指的是芯片在wafer的階段,就通過探針卡扎到芯片管腳上對(duì)芯片進(jìn)行性能及功能測試,有時(shí)候這道工序也被稱作WS(Wafer Sort);而FT是Final Test的縮寫,指的是芯片在封裝完成以后進(jìn)行的最終測試,只有通過測試的芯片才會(huì)被出貨。

    由于測試治具上的差異,CP和FT的不同點(diǎn)并不僅僅限于所處的工序階段不同,兩者在效率和功能覆蓋上都有著明顯的差異,這些信息是每一個(gè)IC從業(yè)人員需要基本了解的。

    在絕大多數(shù)情況下,特別是在國內(nèi),我們目前在CP測試上選用的探針都還是懸臂針(也有叫環(huán)氧針的,因?yàn)獒樖怯铆h(huán)氧樹脂固定的緣故)。這種類型的針比較長,而且是懸空的,信號(hào)完整性控制上非常困難,所以一般數(shù)據(jù)的最高傳輸率只有100~400Mbps,高速信號(hào)的測試是幾乎不可能的;另外,探針和pad的直接接觸在電氣性能上也有局限,容易產(chǎn)生漏電和接觸電阻,這對(duì)于高精度的信號(hào)測量也會(huì)帶來巨大的影響。所以,通常CP測試僅僅用于基本的連接測試和低速的數(shù)字電路測試。

    當(dāng)然,理論上在CP階段也可以進(jìn)行高速信號(hào)和高精度信號(hào)的測試,但這往往需要采用專業(yè)的高速探針方案,如垂直針/MEMS探針等技術(shù),這會(huì)大大增加硬件的成本。多數(shù)情況下,這在經(jīng)濟(jì)角度上來說是不合算的。

    那這樣一來,我們還需不需要CP測試?或者在CP測試階段如何對(duì)具體測試項(xiàng)目進(jìn)行取舍呢?要回答這個(gè)問題,我們就必須對(duì)CP的目的有深刻的理解。那CP的目的究竟是什么呢?

    如何區(qū)分CP測試和FT測試

    首先,CP最大的目的就是確保在芯片封裝前,盡可能地把壞的芯片篩選出來以節(jié)約封裝費(fèi)用。所以基于這個(gè)認(rèn)識(shí),在CP測試階段,盡可能只選擇那些對(duì)良率影響較大的測試項(xiàng)目,一些測試難度大,成本高但fail率不高的測試項(xiàng)目,完全可以放到FT階段再測試。這些項(xiàng)目在CP階段測試意義不大,只會(huì)增加測試的成本。要知道,增加一個(gè)復(fù)雜的高速或高精度模擬測試,不僅僅會(huì)增加治具的成本,還會(huì)增加測試機(jī)臺(tái)的費(fèi)率和增加測試時(shí)間。這些測試項(xiàng)目在FT階段都是要測試的,所以沒有必要放在CP階段重復(fù)進(jìn)行了。

    其次,一些芯片的部分模組地管腳在封裝的時(shí)候是不會(huì)引出來了,也就是說在FT階段這些模組很難甚至無法測量。在這樣的情況下,測試就必須在CP階段進(jìn)行。這也是必須進(jìn)行CP測試的一個(gè)重要原因。

    還有一種特殊情況,芯片的封裝是SIP之類的特殊形式。一方面這種封裝形式在FT階段可測性較低,而且多芯片合封的情況下,整體良率受每顆die的良率影響較大,所以一般需要在封裝前確保每顆die都是好品 (KGD: Known Good Die)。這種情況下,往往無論多困難,都需要在CP階段把所有測試項(xiàng)目都測一遍了。

    所以,基于以上的認(rèn)識(shí),我們就比較容易在具體項(xiàng)目中判斷CP測試項(xiàng)目的取舍了。

    簡單而言:

    1) 因?yàn)榉庋b本身可能影響芯片的良率和特性,所以芯片所有可測測試項(xiàng)目都是必須在FT階段測試一遍的,而CP階段則是可選。

    2) CP階段原則上只測一些基本的DC,低速數(shù)字電路的功能,以及其它一些容易測試或者必須測試的項(xiàng)目。凡是在FT階段可以測試,在CP階段難于測試的項(xiàng)目,能不測就盡量不測。一些類似ADC的測試,在CP階段可以只給幾個(gè)DC電平,確認(rèn)ADC能夠基本工作。在FT階段再確認(rèn)具體的SNR/THD等指標(biāo)。

    3) 由于CP階段的測試精度往往不夠準(zhǔn)確,可以適當(dāng)放寬測試判斷標(biāo)準(zhǔn),只做初步篩選。精細(xì)嚴(yán)格的測試放到FT階段。

    4) 如果封裝成本不大,且芯片本身良率已經(jīng)比較高??梢钥紤]不做CP測試,或者CP階段只做抽樣測試,監(jiān)督工藝。

    5) 新的產(chǎn)品導(dǎo)入量產(chǎn),應(yīng)該先完成FT測試程序的開發(fā)核導(dǎo)入。在產(chǎn)品量產(chǎn)初期,F(xiàn)T遠(yuǎn)遠(yuǎn)比CP重要。等產(chǎn)品逐漸上量以后,可以再根據(jù)FT的實(shí)際情況,制定和開發(fā)CP測試。



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